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在铁电中，哥终虽然在原子厚的SnTe中实验观察到了强的面内自发极化，哥终但是由于铁电(FE)/金属界面处极化电荷的不完全屏蔽以及界面应变、错配位错和表面重建的外在影响，认为原始薄膜中存在面外铁电的临界厚度。于开也图四.1-u.c.BFO中的铁电隧道结和隧道机制a处于关闭和开启状态的静电势(ϕ)分布示意图。

基于第一原理计算和开尔文探针力显微镜测量，口谈作者解释了通过氧化物电极中的离子位移和表面电荷来稳定极化的机理。b在实验和计算中，壮志SRO/BFO界面附近B位阳离子的平均偏心位移。作者的结果表明，续集BiFeO3薄膜中的铁电临界厚度实际上是不存在的，这使得它成为高密度非易失性存储器的一个有希望的候选者。

片名四方相BiFeO3超薄薄膜显示了室温下二维极限的铁电顺序。高分辨率压电响应力显微镜测量表明，阿汤极化是稳定的和可切换的，而在BiFeO3薄膜中实现了高达370%的隧道电流变效应。

最近，哥终在通过离子研磨变薄的1.5(u.c.)电池厚的PbZr0.2Ti0.8O3(PZT)膜中观察到自发极化，其体积值为17%。

实验观察和理论计算表明，于开也氧化物电极的晶体结构、四方性、界面化学环境和离子极化有助于降低或消除铁电的临界厚度。口谈提交优质试用报告的消费者还将免费获得所试用的产品。

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